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氧化鎵的別名是三氧化二鎵，氧化鎵（Ga2O3）是一種寬禁帶半導體，Eg=4.9eV，其導電性能和發光特性長期以來一直引起人們的注意。Ga2O3是一種透明的氧化物半導體材料，在光電子器件方面有廣闊的應用前景 ，被用作于Ga基半導體材料的絕緣層，以及紫外線濾光片。它還可以用作O2化學探測器。
氧化鎵的物理性質：
白色三角形的結晶顆粒。不溶于水。微溶于熱酸或堿溶液。熔點1900℃(在600℃時轉化為β型)。
易溶于堿金屬氫氧化物和稀無機酸。
有α，β兩種變體。α型為白色菱形六面體。
氧化鎵(III)，即三氧化二鎵，是鎵的氧化物中zui穩定的。在空氣中加熱金屬鎵使之氧化，或在200-250℃時焙燒硝酸鎵、氫氧化鎵以及某些鎵的化合物都可形成Ga2O3。
Ga2O3 有五種同分異構體：α，β，γ，δ，ε，其中zui穩定的是β-異構體，當加熱至1000℃以上或水熱條件（即濕法）加熱至300℃以上時，所有其他的異構體都被轉換為β-異構體?？刹捎酶髯圆煌姆椒ㄖ频酶鞣N純的異構體。
把金屬鎵在空氣中加熱至420～440℃；焙燒硝酸鹽使之分解或加熱氫氧化鎵至500℃等都可制得α-Ga2O3。
快速加熱氫氧化物凝膠至400～500℃可值得γ-Ga2O3，γ-Ga2O3具有缺陷的尖晶石結構。
在250℃加熱硝酸鎵然后在約200℃浸潰12小時，可制得δ-Ga2O3，它類似于In2O3、Tl2O3、Mn2O3和Ln2O3的C-結構。
在550℃短暫加熱（約30分鐘）δ-Ga2O3可制得ε-Ga2O3。
將硝酸鹽、醋酸鹽、草酸鹽或其他鎵的化合物以及Ga2O3的任意其他異構體加熱至1000℃以上均可分解或轉化為β-Ga2O3。
