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              什么是氧化鎵?

              2021-01-23 16:00:32

              什么是氧化鎵?

              氧化鎵(Ga2O3)是一種新興的超寬帶隙(UWBG)半導體,擁有4.8eV的超大帶隙。作為對比,SiC和GaN的帶隙為3.3eV,而硅則僅有1.1eV,那就讓這種新材料擁有更高的熱穩定性、更高的電壓、再加上其能被廣泛采用的天然襯底,讓開發者可以輕易基于此開發出小型化,高效的大功率晶體管。這也是為什么在以SiC和GaN為代表的寬帶隙(WBG)半導體器件方面取得了巨大進步的時候,Ga2O3仍然吸引了開發者的廣泛興趣。

              氧化鎵

              從器件的角度來看,Ga2O3的Baliga品質因子要比SiC高出二十倍。對于各種應用來說,陶瓷氧化物的帶隙約為5eV,遠遠高于SiC和GaN的帶隙,后兩者都不到到3.5eV。因此,這種陶瓷氧化物器件可以承受比SiC或GaN器件更高的工作電壓,導通電阻也更低。

              另一個角度看,易于制造的天然襯底,載流子濃度的控制以及固有的熱穩定性也推動了Ga2O3器件的發展。相關論文表示,用Si或Sn對Ga2O3進行N型摻雜時,可以實現良好的可控性。盡管某些UWBG半導體(例如AlN,c-BN和金剛石)在BFOM圖表中擊敗了Ga2O3,但它們的廣泛使用受到了嚴格的限制。換而言之,AlN,c-BN和金剛石仍然缺乏高質量外延生長的合適襯底。

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              氧化鎵氧化銦


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