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              氧化鎵是三氧化二鎵(Ga2O3)的常用名稱

              2021-08-07 16:26:45

              氧化鎵三氧化二鎵(Ga2O3)的常用名稱。這是一種白色粉末,棒狀晶體,晶形以β相為主。三氧化二鎵(Ga2O3)的棒狀顆??蓤F聚成較大的次級粒子。三氧化二鎵被用于熒光粉、燃料電池的固體氧化物陰極、壓電晶體、GGG晶體(釓鎵石榴石),以及近年來流行的GIZO或者IGZO材料的濺射靶材。這些濺射靶材由鎵、銦、鋅和氧化物組成。平板組件行業新的OLED顯示器中,GIZO及IGZO是非常流行的材料,因為它為控制顯示像素的薄膜晶體管提供優異的移動率。

              氧化鎵

              氧化鎵材料潛力:

              氧化鎵(β-Ga2O3)作為繼GaN和SiC之后的下一代超寬禁帶半導體材料,其禁帶寬度約為4.8 eV,理論擊穿場強為8 MV/cm,電子遷移率為300 cm2/Vs,因此β-Ga2O3具有4倍于GaN,10倍于SiC以及3444倍于Si的Baliga技術指標。同時通過熔體法(生長藍寶石襯底的方法)可以獲得低缺陷密度(103~104 cm-2)的大尺寸β-Ga2O3襯底,使得β-Ga2O3器件的成本相比于GaN以及SiC器件更低。隨著高鐵、電動汽車以及高壓電網輸電系統的快速發展,全世界急切的需要具有更高轉換效率的高壓大功率電子電力器件。β-Ga2O3功率器件在與GaN和SiC相同的耐壓情況下,導通電阻更低、功耗更小、更耐高溫、能夠極大地節約上述高壓器件工作時的電能損失,因此Ga2O3提供了一種更高效更節能的選擇。


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              氧化鎵氧化銦


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